存储芯片巨头130亿美元建厂，HBM市场将以年均33%的速度增长

截至2026年1月13日 14点21分，上证科创板半导体材料设备主题指数（950125）下跌3.20%。成分股方面，神工股份领跌6.63%，京仪装备下跌5.52%，金宏气体下跌5.40%，芯源微下跌5.02%，艾森股份下跌4.76%。科创半导体ETF（588170）下跌3.26%，最新报价1.69元。流动性方面，科创半导体ETF盘中换手13.81%，成交6.49亿元，市场交投活跃。

截至2026年1月13日 14点22分，中证半导体材料设备主题指数（931743）下跌2.63%。成分股方面，矽电股份领跌6.57%，神工股份下跌6.56%，京仪装备下跌5.19%，芯源微下跌4.95%，华海诚科下跌4.68%。半导体设备ETF华夏（562590）下跌2.86%，最新报价1.87元。流动性方面，半导体设备ETF华夏盘中换手14.42%，成交2.59亿元，市场交投活跃。

消息面上，韩国SK海力士周二表示，公司已决定投资19万亿韩元（约合129亿美元）在韩国建设一家先进的芯片封装厂，以满足与人工智能（AI）相关的、激增的存储芯片需求。新工厂将于今年4月启动建设，目标是明年年底完工。SK海力士表示，全球AI领域的竞争不断加剧，正推动对AI专用存储器的需求急剧上升，这也凸显出公司需积极应对市场对高带宽存储芯片（HBM）日益增长的需求。该公司预计，从2025年到2030年，HBM市场将以年均33%的速度增长。

国信证券认为，Microchip CEO表示公司在多个终端市场实现了广泛的复苏，新一季度期初的订单储备远优于去年12月所在季度的期初水平，建议关注周期复苏阶段料号导入加速的模拟芯片企业。存储除需求量受AI需求拉动外，价格仍处于上涨周期中，TrendForce预计1Q26一般型DRAM合约价将季增55-60%，含HBM的整体DRAM合约价将上涨50-55%，NANDFlash合约价上涨33-38%，建议关注存储产业链企业。

相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中 半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357），指数中半导体设备（63%）、半导体材料（24%）占比靠前，充分聚焦半导体上游。