【文章来源：金十数据】
9 月 30 日，A 股存储芯片板块强势爆发。截至收盘，半导体板块整体走强，存储芯片方向领涨，江波龙 20cm 涨停，华虹公司涨超 15%，兆易创新涨超 8%。海外存储芯片公司股价隔夜也集体大涨，映射出全球市场对存储芯片的乐观情绪。
今年 9 月，存储市场迎来第二轮涨价潮。闪迪宣布面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调 10% 以上，美光科技也通知渠道商，其产品价格上调幅度达到 20% 至 30%。自 9 月 12 日起，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5 等产品全面暂停报价，协议客户价格全部取消，市场一度陷入紧张状态。
早在今年 4 月，2025 年存储芯片市场的第一枪就已经打响，9 月的动作则被视为第二轮全面提价的延续。当时，三星率先宣布逐步停止生产 DDR4 内存颗粒，从而专注于生产更高端、利润更高的 DDR5、LPDDR5 和 HBM 内存。
多家机构给出了市场预期。光大证券认为，年末降价的格局已被打破，2025 年四季度价格走势优于之前预期。TrendForce 预计，三季度和四季度一般型 DRAM 价格环比分别上涨 10%-15% 和 8%-13%，若计入 HBM，涨幅扩大至 15%-20% 和 13%-18%，HBM 渗透率分别达到 8% 和 11%。在 NAND Flash 方面，三季度和四季度价格预计上涨 3%-8% 和 5%-10%。
存储产品价格上涨的背后是供需失衡。受行业巨头的产能调整和 AI 应用需求推动，DRAM 和 NAND 的全面涨价趋势愈加明显。而在供应方面，生产商纷纷转向更加高端的产品，导致供应收紧。
AI 服务器和数据中心对存储的需求呈指数级增长，单台 AI 服务器需配备 3TB 以上内存和 PB 级存储。全球云厂商资本支出同比增长超过 50%，加剧了供需紧张。与此同时，超过 70% 的产能转向更高端的 HBM 和 DDR5，导致传统 DRAM 和 NAND 供应锐减，三星、SK 海力士等厂商相继缩减 DDR4 产能。
市场调研显示，DRAM 价格指数半年内上涨约 72%，消费级 SSD 在一个半月内价格飙升 40%，企业级大容量 SSD 涨幅超过 50%。华强北市场上，16G 以上内存条一度难以拿货，部分热门存储芯片价格相比年初翻了三倍。
AI 应用的崛起进一步推高了高带宽内存需求。HBM 作为 AI 芯片核心组件，价格涨幅最大，HBM2e 半年内上涨 80%，HBM3e 突破 100 美元/GB。
东北证券指出，全球存储产业正经历从周期波动向技术驱动的转型，HBM 已成为 AI 加速卡的价值核心，占高端 GPU 物料成本比重超过 50%。国内企业如德明利、佰维存储、江波龙、兆易创新均表示，AI 带动存储需求持续扩张，预计四季度价格仍将维持上涨。
涨价压力逐渐传导至下游。存储模组厂商威刚宣布暂停 DDR4 报价，终端厂商如小米集团毛利率承压，其总裁卢伟冰直言涨价超出预期。真我 GT 系列、Neo 系列负责人谭睿韬指出，DDR4 与 DDR5 价差缩小，加快了行业向 DDR5 切换。
消费者层面，DDR4 价格接近翻倍，手机厂商增加 LPDDR4X 备货以防供应断裂。机构普遍预计四季度 DDR5、LPDDR4X 价格仍将上涨。
