《科创板日报》10 月 5 日讯 近期以来，多国芯片巨头上调产品报价。据央视财经报道，过去半年，全球存储芯片价格持续上涨。特别是最近一个月，涨价消息越发密集。
据 《科创板日报》 不完全统计：
9 月下旬，三星电子发出第四季度提价通知，计划将部分 DRAM 价格上调 15% 至 30%，NAND 闪存价格上调 5% 至 10%。
NAND 闪存控制芯片大厂群联日前恢复报价，价格涨幅约 10%。
9 月 16 日，西部数据通知客户将逐步提高所有 HDD（机械硬盘） 产品的价格。
9 月上旬，闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的 NAND 产品价格上调 10% 以上。
涉及涨价的存储芯片种类大致涵盖 DRAM 与 NAND 两种类型：前者是一种易失性半导体储器，读取速度相对快但断电后数据瞬间消失，无法长期保存，近期受市场追捧的 HBM 也属于这一类型；后者属于非易失性存储，断电后数据仍能稳定留存，往往负责存放海量数据和模型参数，SSD、HDD 等属于此列。
根据摩根士丹利的最新研报预测，人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来一个 「超级周期」。就在日前 （10 月 1 日），OpenAI 与三星电子、SK 海力士宣布达成初步供货协议，两家韩国公司将为 「星际之门」（Stargate） 项目供应存储芯片。韩国总统办公室表示，OpenAI 计划在 2029 年订购 90 万片存储芯片晶圆。
SK 海力士在公告中称，这一需求预测是目前全球高带宽存储芯片 （HBM） 产能的两倍多，凸显了 「星际之门」 项目规模之大以及全球人工智能发展之快。
进一步细分来看，在 DRAM、HBM 普遍昂贵且供给紧张的背景下，NAND 有望成为 AI 时代新一轮主流存储选择。
据悉，三星电子已着手开展 HBF 高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作。所谓 HBF，是一种类似 HBM 的专为 AI 领域设计的新型存储器架构，区别在于 HBF 使用 NAND 闪存代替 DRAM。被称作 「HBM 之父」 的韩国科学技术院 （KAIST） 教授金正浩指出，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的 NAND 闪存可以作为补充。
摩根士丹利预计，到 2026 年 NAND 闪存将出现高达 8% 的供应缺口。
此外，群联电子董事长潘健成近日接受采访时表示，SSD 将成为大容量存储的主流选择，但目前与 HDD 对比，两者占比为 2：8，由于 SSD 新增容量不足，预期 2026 年起 NAND 闪存将严重短缺，且未来十年供应都将紧张。
与此同时，NAND Flash 价格涨幅已反超 DRAM。据 CFM 闪存市场报价，2025 年第三季度，NAND Flash 市场综合价格指数上涨 5%，DRAM 市场综合价格指数上涨 19.2%。9 月单月来看，NAND Flash 市场综合价格指数上涨 4.7%，DRAM 市场综合价格指数上涨 2.6%。
展望后续，TrendForce 预计 25Q4 NAND Flash 价格将上涨 5-10%。中信证券认为，后续数据中心 eSSD 涨价幅度有望超市场预期，2026 年大容量 QLC SSD 有望出现爆发性增长。
